[发明专利]一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置在审
| 申请号： | 201711132423.9 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107910278A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 涂新星;祁鹏;王智 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/24 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积机台，所述炉管工艺多晶硅沉积机台包括反应炉管、与所述反应炉管相连接的气体外出管路以及泵，其中，所述气体外出管路上设有支联装置，所述支联装置内设有氧气敏感器。本发明能够在第一时间有效地监测炉管机台反应炉管内部氧气浓度的变化情况，避免因反应炉管微漏气造成的晶圆器件失效而导致的报废。通过使用本发明能够节省机台维护保养复机时间约2h，提升机台产能，直接反应机台状况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实时 监测 多晶 沉积 工艺 过程 氧气 浓度 装置 | ||
【主权项】：
一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积机台，所述炉管工艺多晶硅沉积机台包括反应炉管、与所述反应炉管相连接的气体外出管路以及泵，其特征在于，所述气体外出管路上设有支联装置，所述支联装置内设有氧气敏感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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