[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：第1区域(BLK)，包含沿着第1方向(X方向)并排地排列着多条的第1配线(SGD)、将相邻的第1配线(SGD)间分离的第1绝缘膜(SLT2)、及以横跨相邻的第1配线(SGD)间的方式设置的第1柱(MP)；以及第2、第3区域(SLT1)，以在第2方向(Y方向)上将第1区域(BLK)夹在中间的方式定位，且包含第2绝缘膜。第1柱(MP)包含导电层、栅极绝缘膜及电荷累积层。设置在第1区域(BLK)内的第1配线(SGD)的条数为奇数条。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1区域，包含设置在半导体衬底上方且沿着作为所述半导体衬底的面内方向的第1方向并排地排列着多条的第1配线、将相邻的所述第1配线间分离的第1绝缘膜、及以横跨相邻的所述第1配线间的方式设置的第1柱；以及第2、第3区域，以在所述半导体衬底的面内方向且与所述第1方向不同的第2方向上将所述第1区域夹在中间的方式定位，且包含从所述半导体衬底上设置到所述第1配线的高度的第2绝缘膜；且所述第1柱包含导电层、栅极绝缘膜及电荷累积层，设置在所述第1区域内的所述第1配线的条数为奇数条。