[发明专利]晶圆载盘以及金属有机化学气相沉积设备有效
| 申请号： | 201711135837.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109797377B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王信介;赖彦霖;吴俊德;严千智 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆载盘，其包括旋转轴心、中心平整区、晶圆设置区以及多个晶圆容置槽。旋转轴心穿过中心平整区的中心。晶圆设置区环绕中心平整区。多个晶圆容置槽设置于晶圆设置区。每一晶圆容置槽的直径为D，且中心平整区的半径为0.5D～3D。中心平整区的表面是平坦的平面。另提供一种晶圆载盘及使用上述两种晶圆载盘的任一种的金属有机化学气相沉积设备。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆载盘 以及 金属 有机化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆载盘，其特征在于，包括：旋转轴心；中心平整区，所述旋转轴心穿过所述中心平整区的中心；晶圆设置区，环绕所述中心平整区；以及多个晶圆容置槽，设置于所述晶圆设置区，每一晶圆容置槽的直径为D，其中所述中心平整区的半径为0.5D～3D，且所述中心平整区的表面是平坦的平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于錼创显示科技股份有限公司，未经錼创显示科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711135837.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
