[发明专利]全局互连结构加工方法

摘要

本发明全局互连结构加工方法涉及微电子技术领域，具体涉及全局互连结构加工方法，包括以下步骤，掩膜电镀，形成图形化的铜柱子，即互连铜线，首先在清洗干净的单面氧化的硅衬底上溅射CrCu种子层即底膜，光刻，在沟槽里电镀铜柱子即铜线，去除光刻胶，干法刻蚀底膜，形成分立的铜线图形，然后在分立的铜线间填充牺牲层，化学机械抛光使表面平坦化并露出铜线，清洗表面，溅射种子层；形成互相绝缘的分立通孔图形，再光刻形成通孔图形，电镀通孔，去胶，以铜为掩膜，用物理刻蚀法去除通孔之外的底膜，本发明加工过程简单，安全可靠，能提高产品质量，大大减小了互连线间的耦合电容。

主权项

一种全局互连结构加工方法，其特征在于，包括以下步骤，第一步，掩膜电镀，形成图形化的铜柱子，即互连铜线，首先在清洗干净的单面氧化的硅衬底上溅射CrCu种子层即底膜，光刻，在沟槽里电镀铜柱子即铜线，去除光刻胶，干法刻蚀底膜，形成分立的铜线图形，然后在分立的铜线间填充牺牲层，化学机械抛光使表面平坦化并露出铜线，清洗表面，溅射种子层；第二步，形成互相绝缘的分立通孔图形，再光刻形成通孔图形，电镀通孔，去胶，以铜为掩膜，用物理刻蚀法去除通孔之外的底膜，形成互相绝缘的分立通孔图形；第三步，再次电镀上层铜柱子，在分立的通孔图形间再次填充牺牲层，化学机械抛光使表面平整并露出铜通孔，再溅射种子层，光刻形成上层沟槽，在沟槽里电镀上层铜柱子；第四步，形成镂空互连结构，用丙酮去光刻胶，再用氩等离子体刻蚀的方法去除底膜，将磷酸放在水浴锅中加热到60℃一80℃，将互连结构浸泡在浓磷酸中以去除牺牲层，形成全局互连铜镂空结构。