[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711137740.X | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108258111A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 飞冈孝明;海老原美香 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;G01R33/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;郑冀之 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具有能够有效地除去偏置电压的纵型霍尔元件的半导体装置，具备：第2导电型的半导体层，设置在第1导电型的半导体衬底上；高浓度的第2导电型的多个电极，互相具有大致相同形状，且隔着第1间隔而在半导体层的表面沿着直线设置；多个电极分离层，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离，该多个电极分离层互相具有大致相同形状，且隔着第2间隔设置；以及第1及第2附加层，沿着位于两端的电极的外侧中的上述直线分别设置，具有与电极分离层大致相同的构造，第1附加层从与位于两端的电极的一个电极邻接的电极分离层隔着第2间隔而配置，第2附加层从与位于两端的电极的另一个电极邻接的电极分离层隔着第2间隔而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 电极分离 导电型 附加层 半导体装置 半导体层 邻接 霍尔元件 间隔设置 偏置电压 直线设置 有效地 衬底 纵型 配置 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有第1导电型的半导体衬底、和设置在所述半导体衬底上的纵型霍尔元件，其特征在于，所述纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在所述半导体衬底上；多个电极，由浓度比所述半导体层高的第2导电型的杂质区域构成，互相具有大致相同形状，且隔着第1间隔而在所述半导体层的表面沿着直线设置；多个电极分离层，在所述半导体层的表面，分别设置在所述多个电极的各电极间，所述多个电极分离层使所述多个电极分别分离，互相具有大致相同形状，且隔着第2间隔而设置；以及第1及第2附加层，在所述多个电极之中位于两端的电极的外侧中的所述直线上分别设置，具有与所述电极分离层大致相同的构造，所述第1附加层从与位于所述两端的电极的一个电极邻接的所述电极分离层隔着所述第2间隔而配置，所述第2附加层从与位于所述两端的电极的另一个电极邻接的所述电极分离层隔着所述第2间隔而配置。
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