[发明专利]改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法有效
| 申请号： | 201711139084.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107976594B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 罗尹虹;陈伟;张凤祁;郭红霞;潘霄宇 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 61211 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法，包括：计算相同能损时每单位深度降能片材料在硅中的等效深度；依据一定的步长移去放置在器件前的降能片，使布拉格峰逐渐向器件灵敏区移动，LET值和单粒子效应截面达到最大值；依据步长设定继续移去降能片，基于重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，读取器件灵敏区处相应的LET值；绘制在该重离子时的单粒子效应截面与LET值的关系曲线。该方法实现对倒封器件、背面减薄等新型器件单粒子效应截面的获取，弥补了低能重离子加速器能量低、射程不足带来的影响，并可通过试验准确获取器件单粒子效应阈值，为准确评价器件抗单粒子能力提供了一种有效的试验方法。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 离子 布拉格 深度 测试 器件 粒子 效应 截面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：结合重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线与重离子穿过降能片后在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，计算相同能损时每单位厚度降能片在硅中的等效深度；/n步骤二：通过改变待测器件前降能片的厚度，调整重离子布拉格峰在待测器件中的深度，改变待测器件灵敏区处的重离子LET值，结合步骤一中的等效深度及重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，获取在单一离子种类和能量条件下，待测器件在多个LET值点的单粒子效应截面。/n
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