[发明专利]一种C波段双输出介质本振型双极化正偏置低噪声降频器在审

专利信息
申请号: 201711139367.1 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN107864348A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 叶远龙 申请(专利权)人: 珠海市普斯赛特科技有限公司
主分类号: H04N5/50 分类号: H04N5/50;H04N7/20
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 梁嘉琦
地址: 519060 广东省珠*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种C波段双输出介质本振型双极化正偏置低噪声降频器,包括水平极化放大电路、垂直极化放大电路、滤波电路、混频电路、集成开关、中频放大电路、信号输出电路。水平极化放大电路和垂直极化放大电路中的低噪声放大器采用了N沟道增强型场效应管,省掉了振荡式负压产生电路,简化了电路,降低了产品成本及材料损耗,且该降频器实现了两个用户共用一个高频头LNBF及天线,架设容易,节省成本和环境空间。
搜索关键词: 一种 波段 输出 介质 振型双 极化 偏置 噪声 降频器
【主权项】:
一种C波段双输出介质本振型双极化正偏置低噪声降频器,包括波导管(101)、与波导管(101)连接的高频头(102)、设置在高频头(102)上的机壳(103)和机壳(103)内的电路模块;其特征在于:所述机壳(103)为抗干扰性机壳,其上设置有两个输出头(8);所述波导管(101)内设置有用于接收水平极化信号的水平极化天线(11)和用于接收垂直极化信号的垂直极化天线(12);所述电路模块包括低噪声放大器、滤波器、混频器、集成开关(6)和中频放大器;所述低噪声放大器有四个,分别为第一低噪声放大器(21)、第二低噪声放大器(22)、第三低噪声放大器(23)和第四低噪声放大器(24),所述第一低噪声放大器(21)、第二低噪声放大器(22)、第三低噪声放大器(23)和第四低噪声放大器(24)均采用N沟道增强型场效应管;所述滤波器有两个,分别为第一滤波器(31)和第二滤波器(32),所述混频器有两个,分别为第一混频器(41)和第二混频器(42),所述中频放大器有两个,分别为第一中频放大器(71)和第二中频放大器(72);所述电路模块还包括本机振荡器(5),所述本机振荡器(5)为介质谐振振荡器,其包括两个输出相同频率的本振信号输出端;所述水平极化天线(11)、第一低噪声放大器(21)、第二低噪声放大器(22)、第一滤波器(31)、第一混频器(41)、集成开关(6)、第一中频放大器(71)和一个输出头(8)依次连接,所述本机振荡器(5)的一个本振信号输出端与第一混频器(41)的输入端连接;所述垂直极化天线(12)、第三低噪声放大器(23)、第四低噪声放大器(24)、第二滤波器(32)、第二混频器(42)、集成开关(6)、第二中频放大器(72)和另一个输出头(8)依次连接,所述本机振荡器(5)的另一个本振信号输出端与第二混频器(42)的输入端连接。
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