[发明专利]一种微电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201711139417.6 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108125677B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 曾齐;吴天准;夏凯;孙滨 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | A61B5/294 | 分类号： | A61B5/294;A61B5/293;A61N1/05 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微电极，包括微电极本体和设置在所述微电极本体表面的铂纳米花修饰层，所述铂纳米花修饰层的厚度为0.5～2.5μm。所述微电极具有低阻抗、高电荷存储能力、高电荷注入能力以及良好的长期稳定性。本发明还提供了一种微电极的制备方法，包括以下步骤：提供铂盐溶液；以铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，待修饰的微电极为工作电极，与所述铂盐溶液形成三电极体系，并与电化学工作站相连接；在常温常压条件下，电沉积5～60min，在所述微电极表面形成铂纳米花修饰层，即得到微电极，所述铂纳米花修饰层的厚度为0.5～2.5μm。本发明提供微电极的制备方法操作简单，制得的微电极性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微电极，其特征在于，包括微电极本体和设置在所述微电极本体表面的铂纳米花修饰层，所述铂纳米花修饰层的厚度为0.5～2.5μm。
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