[发明专利]超高深宽比SONO刻蚀工艺有效

专利信息
申请号: 201711139505.6 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN107731750B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 刘隆冬;王猛;陈保友;苏恒;朱喜峰;肖为引;方振 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/822;H01L27/10
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种SONO刻蚀工艺,本发明的工艺一方面,通过改变现有技术中薄膜层的结构,另一方面将常规的一步刻蚀工艺优化为两步刻蚀工艺,从而在刻蚀过程中,确保所有的SONO孔均打开,从而实现沟道孔与底部外延硅的良好连接,同时保证了沟道孔侧壁硬掩膜氮化硅没有损伤,增大后续制程的工艺窗口,从而提高产品的性能。
搜索关键词: 高深 sono 刻蚀 工艺
【主权项】:
一种超高深宽比SONO刻蚀工艺,所述工艺包括提供一衬底堆叠结构,具体为,提供衬底,所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层,所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间;所述层间介质层为氧化硅层,所述牺牲介质层为氮化硅层,从而形成O/N堆叠结构(O/N Stacks),最上层的氮化硅层作为刻蚀硬掩膜层;其特征在于:步骤S1:所述最上面刻蚀硬掩膜层上面再沉积一层无定型硅层;步骤S2:在所述衬底堆叠结构上形成沟道孔;并在所述沟道孔底部经过外延生长沉积形成一层外延硅;步骤S3,在沟道孔侧壁和底部依次沉积氧化硅、氮化硅、氧化硅、无定型硅薄膜层;步骤S4,采用干法刻蚀,把沟道孔顶部和底部的硅层打开,同时保证侧壁的无定型硅薄膜层有一定的残留;步骤S5,采用干法化学刻蚀,以除去通导孔底部沉积的氧化硅和氮化硅层。
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