[发明专利]TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。该TFT基板的制作方法先在TFT上连续沉积金属薄膜与透明导电薄膜；再在透明导电薄膜上涂布光阻，并使用半色调掩膜板对光阻进行曝光、显影，得到第一光阻层与第二光阻层；然后蚀刻未被第一光阻层与第二光阻层所遮盖的透明导电薄膜与金属薄膜；接着对第一光阻层与第二光阻层进行灰化处理，去除第二光阻层；之后对裸露的透明导电薄膜进行蚀刻，暴露出未被剩余的第一光阻层所遮盖的金属薄膜；再对暴露出来的金属薄膜进行氧化处理，形成绝缘的金属氧化物薄膜作钝化层；最后剥离剩余的第一光阻层，暴露出被剩余的第一光阻层所遮盖的金属薄膜与透明导电薄膜作像素电极；能够减少光罩数量，节省制作成本。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上制作出呈阵列式排布的TFT(10)；步骤S2、在所有TFT(10)上连续沉积一层金属薄膜(2)与一层透明导电薄膜(3)；步骤S3、在所述透明导电薄膜(3)上涂布光阻，并使用半色调光罩对光阻进行曝光、显影，对所述光阻进行图案化处理，得到第一光阻层(41)与第二光阻层(42)，且第一光阻层(41)的厚度大于第二光阻层(42)的厚度；所述第一光阻层(41)的图案与欲形成的像素电极的图案一致，且所述TFT(10)的漏极(101)远离源极(102)的部分被第一光阻层(41)遮盖；所述TFT(10)的漏极(101)的其余部分、源极(102)与沟道层(103)被所述第二光阻层(42)遮盖；步骤S4、对未被第一光阻层(41)与第二光阻层(42)所遮盖的透明导电薄膜(3)与金属薄膜(2)进行蚀刻；步骤S5、对第一光阻层(41)与第二光阻层(42)进行灰化处理，去除第二光阻层(42)，同时减小第一光阻层(41)的厚度；步骤S6、对裸露的透明导电薄膜(3)进行蚀刻，暴露出未被剩余的第一光阻层(41)所遮盖的金属薄膜(2)；步骤S7、对所述暴露出来的金属薄膜(2)进行氧化处理，形成绝缘的金属氧化物薄膜作钝化层(20)；步骤S8、剥离剩余的第一光阻层(41)，暴露出被剩余的第一光阻层(41)所遮盖的金属薄膜(2)与透明导电薄膜(3)作像素电极(30)；所述像素电极(30)接触所述TFT(10)的漏极(101)远离源极(102)的部分。