[发明专利]一种模拟相变存储计算单元的电路模型

摘要

本发明公开了一种模拟相变存储计算单元的电路模型，属于微电子技术领域。本发明电路模型的主要器件为电容器，用于模拟相变存储计算单元在接收到操作脉冲后的电阻变化；相变存储计算单元电阻漂移电路模型主要器件包括：相变电容，用于与双向操作特性模拟电路中的相变电容一致；储能电容和漂移电容，用于模拟相变存储计算单元在非晶态下的电阻漂移，储能电容能接收RESET和SET脉冲，漂移电容仅接收SET脉冲。储能电容和漂移电容共同工作以模拟相变存储器的阻值漂移。本发明所公开的电路模型通过参数拟合，提供了一种对于相变存储计算单元工作状态的简单有效的模拟方法，对于研究相变存储计算单元的特性具有极大参考价值。

主权项

一种模拟相变存储计算单元的电路模型，其特征在于，所述电路模型包括第一模拟电路，所述第一模拟电路用于模拟非晶相相变存储计算单元的电阻漂移特性；所述第一模拟电路包括：脉冲输入端1、脉冲输出端1、开关S1、开关S2、开关S3、开关S4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2和电容C3；所述第一模拟电路中，脉冲输入端1连接开关S1的一端，开关S1的另一端连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电容C1的一端和开关S2的一端，电容C1的另一端连接脉冲输出端，开关S2另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端、电容C2的一端、开关S3的一端和开关S4的一端相连接，电容C2的另一端连接脉冲输出端，开关S3的另一端连接电阻R3的一端，开关S4的另一端连接电阻R4的一端，电阻R3的另一端、电阻R4的另一端和电容C3的一端相连接，电容C3的另一端连接脉冲输出端1。