[发明专利]一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法

摘要

本发明公开一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法，其特征在于，包括：将探测器进行光刻制备出腐蚀图形；提供第一腐蚀液，所述第一腐蚀液在20~30℃的腐蚀速率为0.98μm/min‑1.08μm/min之间。利用第一腐蚀液对InGaAs探测器按照所述腐蚀图形进行第一次腐蚀，第一次腐蚀完成后，清洗，干燥；利用第二腐蚀液对所述第一次腐蚀完成后的探测器进行第二次腐蚀，腐蚀出所述腐蚀图形，得到预设的腐蚀图形的探测器。本发明提供的腐蚀方法能够快速腐蚀探测器，达到预设图形和台面高度，不用频繁更换腐蚀剂，降低了危险，同时提高了器件本身的精度和质量。

主权项

1.一种PIN型InGaAs红外探测器台面的腐蚀方法，其特征在于，包括：对预腐蚀件进行光刻，制备出腐蚀图形；分别提供第一腐蚀液和第二腐蚀液，所述第一腐蚀液在20~30℃的腐蚀速率为0.98~1.08μm/min；所述第二腐蚀液在20~30℃的腐蚀速率450nm/min；利用第一腐蚀液对InGaAs探测器按照所述腐蚀图形进行第一次腐蚀，第一次腐蚀完成后，清洗，干燥；利用第二腐蚀液对所述第一次腐蚀完成后的探测器进行第二次腐蚀，腐蚀出所述腐蚀图形，得到预设的腐蚀图形的探测器；所述第一腐蚀液为溴素‑H₂O₂‑H₂O混合腐蚀液；所述第二腐蚀液为H₃PO₄‑H₂O₂‑H₂O；所述第一次腐蚀按照所述腐蚀图形腐蚀掉探测器的InGaAs接触层、InGaAsP蚀刻阻挡层、InP次集结层，InGaAsP集结层、InGaAs隔离层至InGaAs吸收层；所述第二次腐蚀腐蚀掉全部InGaAs吸收层。