[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201711143483.0 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN109801963B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 林信志;周钰杰 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置包括基板以及设置于基板上的第一III‑V族半导体层。第一III‑V族半导体层包括鳍片结构，且上述鳍片结构包括顶表面、第一侧壁以及相对于上述第一侧壁的第二侧壁。上述半导体装置亦包括设置于第一III‑V族半导体层上的第二III‑V族半导体层。第一III‑V族半导体层与第二III‑V族半导体层包括相异的材料，且第二III‑V族半导体层覆盖上述鳍片结构的顶表面、第一侧壁以及第二侧壁，以沿着上述鳍片结构的顶表面、第一侧壁以及第二侧壁形成异质接合。上述半导体装置亦包括设置于第二III‑V族半导体层上的栅极电极。本发明可增加异质接合的接触面积，因此可增加二维电子云的面积而提高装置效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一第一III‑V族半导体层，设置于该基板上，其中该第一III‑V族半导体层包括一鳍片结构，且该鳍片结构包括一顶表面、一第一侧壁以及相对于该第一侧壁的一第二侧壁；一第二III‑V族半导体层，设置于该第一III‑V族半导体层上，其中该第一III‑V族半导体层与该第二III‑V族半导体层包括相异的材料，且该第二III‑V族半导体层覆盖该鳍片结构的该顶表面、该第一侧壁以及该第二侧壁，以沿着该鳍片结构的该顶表面、该第一侧壁以及该第二侧壁形成一异质接合；以及一栅极电极，设置于该第二III‑V族半导体层上。
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