[发明专利]半导体静电保护电路器件

摘要

一种半导体静电保护电路器件，包括：衬底、元件隔离绝缘膜、多个第一高浓度第一导电类型区、多个第一高浓度第二导电类型区和第二高浓度第一导电类型区。每个第一高浓度第二导电类型区形成在衬底上方的多个第二第一导电类型阱中的相应一个中；每个第一高浓度第一导电类型区形成在衬底上方的第二导电类型阱中；每两个相邻的第一高浓度第一导电类型区被一个第一高浓度第二导电类型区分开；器件的横截面中，元件隔离绝缘膜将多个第一高浓度第一导电类型区与多个第一高浓度第二导电类型区分开；多个第一高浓度第一导电类型区耦合到地电位；多个第一高浓度第二导电类型区耦合到I/O焊盘并连接到内部电路；第二高浓度第一导电类型区连接到触发器元件。

主权项

一种晶闸管型半导体静电保护电路器件，用于保护内部电路，所述半导体静电保护电路器件包括：半导体衬底(Psub)，在所述衬底的平面图中，所述半导体衬底(Psub)定义第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向；元件隔离绝缘膜(IN)，所述元件隔离绝缘膜(IN)形成在所述半导体衬底上方；间隔开的多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d),间隔开的所述多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)在所述半导体衬底上方在所述第二方向上延伸；间隔开的多个第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)，间隔开的所述多个第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)在所述半导体衬底上方在所述第二方向上延伸，并且与所述多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)交替并且面对所述多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)，所述第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)在所述第一方向和所述第二方向上物理上相互不连接，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；以及第二高浓度第一导电类型区(NP2)，所述第二高浓度第一导电类型区(NP2)在所述半导体衬底上方在所述第一方向上延伸；其中：所述多个第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)中的每一个形成在多个第二第一导电类型阱(NW2a，NW2b，NW2c)中的相应的所述第二第一导电类型阱(NW2a，NW2b，NW2c)中，所述第二第一导电类型阱(NW2a，NW2b，NW2c)形成在所述衬底(PSub)上方；所述多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)中的每一个形成在第二导电类型阱(PW)中，所述第二导电类型阱(PW)形成在所述衬底(PSub)上方；所述第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)中的每两个相邻的所述第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)被所述第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)中的一个彼此分开；在所述器件的通过所述多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)和所述多个第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)的横截面中，所述元件隔离绝缘膜(IN)将所述多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)与所述多个第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)分开；所述多个第一高浓度第一导电类型区(NP1a，NP1b，NP1c，NP1d)作为阴极耦合到地电位；所述多个第一高浓度第二导电类型区(PP1a，PP1b，PP1c)作为阳极耦合到I/O焊盘，并且连接到所述内部电路；并且所述第二高浓度第一导电类型区(NP2)被配置为所述静电保护电路器件的触发器栅极分接，并且被连接到触发器元件。