[发明专利]用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路有效
| 申请号： | 201711144435.3 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107947774B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 徐大伟;朱弘月;董业民;李新昌;徐超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/567;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块，且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动的IGBT的栅极相连，其特征在于，该噪声抑制电路包括：电压检测电路，其输入端接所述IGBT的栅极；下拉电路，其输入端接所述电压检测电路的输出端；RS触发器，其R端接所述下拉电路的第一输出端，S端接所述下拉电路的第二输出端，Q端接所述输出驱动模块的输入端。本发明利用dv/dt噪声和IGBT栅极电压之间存在的特定关系，通过检测IGBT栅极电压的变化区间实现对dv/dt噪声的滤除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 igbt 栅极 驱动 芯片 ldmos 电平 移位 dv dt 噪声 抑制 电路 | ||
【主权项】：
一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块，且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动的IGBT的栅极相连，其特征在于，该噪声抑制电路包括：电压检测电路，其输入端接所述IGBT的栅极；下拉电路，其输入端接所述电压检测电路的输出端；RS触发器，其R端接所述下拉电路的第一输出端，S端接所述下拉电路的第二输出端，Q端接所述输出驱动模块的输入端；第一反相器，其输入端接所述LDMOS电平移位模块的第一输出端，输出端接所述RS触发器的S端；以及第二反相器，其输入端接所述LDMOS电平移位模块的第二输出端，输出端接所述RS触发器的R端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711144435.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
