[发明专利]单晶二氧化钛薄膜的制备方法以及制备用蒸发架有效

专利信息
申请号: 201711144462.0 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN108950532B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 王国成;宋小霞 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: C23C22/54 分类号: C23C22/54;C23C22/34
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种单晶二氧化钛薄膜的制备方法,包括:用酸洗液对钛基金属进行清洗0.5‑5分钟;将该酸洗后的钛基金属置于蒸发架上,加入形貌引导液浸没该钛基金属,并将所述蒸发架置于装有酸蒸溶液的蒸发釜,加热至120‑230℃进行湿蒸处理0.5‑24小时。本申请还公开了一种单晶二氧化钛薄膜制备用蒸发架。本发明的单晶二氧化钛薄膜的制备方法无需模板,除钛基金属外无需额外添加钛源和表面活性剂,同时也不需要增加后续煅烧热处理结晶以及其他任何处理,即可在钛基金属基体表面原位形成形貌、大小可控的氧化钛单晶体,而且制得的单晶与钛基金属基底结合力强,另外该方法使用酸量极少,从而可以简化后处理工艺,降低成本,而且对环境非常友好。
搜索关键词: 单晶二 氧化 薄膜 制备 方法 以及 蒸发
【主权项】:
1.一种单晶二氧化钛薄膜的制备方法,包括:用酸洗液对钛基金属进行清洗;将该酸洗后的钛基金属置于蒸发架上,加入形貌引导液浸没该钛基金属,并将所述蒸发架置于装有酸蒸溶液的蒸发釜,加热至120‑230℃进行湿蒸处理0.5‑24小时。
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