[发明专利]包含具有硼层的硅衬底的光阴极

摘要

本揭露涉及包含具有硼层的硅衬底的光阴极。在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射。所述低功函数材料包含碱金属(例如，铯)或碱金属氧化物。在所述所照射(顶部)表面上形成可选第二硼层，并在所述硼层上形成可选抗反射材料层以增强光子进入所述硅衬底中。在所述相对所照射(顶部)表面与输出(底部)表面之间产生可选外部电位。所述光阴极形成新颖传感器和检查系统的一部分。

主权项

一种用于响应于定向到接收表面上的光子产生电信号的传感器，所述传感器包括：光阴极，其邻近所述接收表面安置且经配置以响应于所述光子发射光电子，所述光阴极包含：硅衬底，其具有面向所述接收表面的第一表面和背朝所述接收表面的第二表面，和第一层，其主要由硼组成且直接安置于所述硅衬底的所述第二表面上；检测装置，其在所述组装内部并经定位以收集从所述光阴极发射的电子，所述检测装置具有面向所述第二层的检测表面，所述检测装置经配置以检测由所述光阴极发射的所述光电子，且经配置以响应于所检测的光电子产生所述电信号；和外壳，其以可操作方式连接在所述光阴极与所述检测装置之间，使得所述检测装置的所述检测表面与所述光阴极的所述第一层由中间间隙区域分隔开，其中当在所述光阴极与所述检测装置之间产生电场时，从所述光阴极发射进入所述间隙区域中的电子通过所述电场朝向所述检测装置加速。