[发明专利]一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

本发明提供一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法，一方面，通过第二折射层的折射率小于介质层的折射率，从而利用全反射原理以减少光的折射；另一方面，通过反射层的反射将少量通过第二折射层折射的光反射回第二折射层，从而将这部分光收集到光电二极管区域，防止光串扰到临近的光电二极管区域；因此，提高了光电二极管吸收光子的数量，从而使得量子转换效率得以提高。

主权项

一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：前端结构，所述前端结构包括介质层及结合于所述介质层的第一表面的电路层，所述介质层内具有光电二极管，且所述介质层还包括与所述第一表面相对的第二表面；深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构从所述介质层的第二表面起始，并往所述介质层的第一表面方向延伸；所述深沟槽隔离结构包括第一折射层、包围所述第一折射层底面与侧面的反射层及包围所述反射层底面及侧面的第二折射层，所述第一折射层、反射层及第二折射层的顶面均与所述介质层的第二表面齐平，且所述第二折射层的折射率小于所述介质层的折射率；像素元件，所述像素元件结合于所述介质层的第二表面。