[发明专利]非易失存储器单元及其制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种非易失存储器单元及其制备方法，该非易失存储器单元包括衬底，位于衬底上的栅极、以及覆盖栅极的功能层，该功能层设置有依次叠置的氧离子蓄积层、氧离子控制层、以及氧化物半导体层，存储器单元的源极和漏极氧离子控制层上，且氧化物半导体层设置于源极和漏极之间，其中，氧离子蓄积层用于存储或释放氧离子，氧离子控制层用于控制氧离子的移动，氧化物半导体层用于起开关作用。本发明实施例提供的非易失存储器单元及其制备方法，能够快速读取和写入，以阻态形式保存数据信息，无需电源持续供电，且能够实现更小尺寸、更高集成度和存储密度的存储器件，进一步降低能耗、提高运行效率。

主权项

一种非易失存储器单元，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极、以及覆盖所述栅极的功能层；所述功能层包括依次叠置的氧离子蓄积层、氧离子控制层、以及氧化物半导体层，其中，所述氧离子蓄积层用于存储或释放氧离子，所述氧离子控制层用于控制氧离子的移动，所述氧化物半导体层用于起开关作用；位于所述氧离子控制层上的源极和漏极，且所述氧化物半导体层设置于所述源极和所述漏极之间。