[发明专利]具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201711146633.3 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN109801965B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王家麟;江品宏;熊昌铂;吕佳纹;李年中;李文芳;王智充 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法。该具有双层间隙壁的晶体管，包含有一栅极、一第一双层间隙壁以及一第二内层间隙壁。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一栅极介电层以及一栅极电极，以及栅极介电层自栅极电极突出并覆盖基底。第一双层间隙壁设置于栅极侧边的栅极介电层上，其中第一双层间隙壁包含一第一内层间隙壁以及一第一外层间隙壁。第二内层间隙壁设置于第一双层间隙壁侧边的栅极介电层上，其中第二内层间隙壁具有一L型剖面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 间隙 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有双层间隙壁的晶体管，包含有：栅极，设置于一基底上，其中该栅极包含栅极介电层以及栅极电极，以及该栅极介电层自该栅极电极突出并覆盖该基底；第一双层间隙壁，设置于该栅极侧边的该栅极介电层上，其中该第一双层间隙壁包含第一内层间隙壁以及第一外层间隙壁；第二内层间隙壁，设置于该第一双层间隙壁侧边的该栅极介电层上，其中该第二内层间隙壁具有一L型剖面结构。
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