[发明专利]功率半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体；在所述多个沟槽的上部形成位于所述屏蔽导体两侧的开口；在所述多个沟槽上部的侧壁上形成栅极电介质；形成栅极导体以填充所述开口；其中，所述栅极导体与所述屏蔽导体之间由所述绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，所述栅极导体与所述体区之间由所述栅极电介质彼此隔离，所述屏蔽导体与所述半导体衬底之间由所述绝缘叠层彼此隔离。该方法在屏蔽导体顶部形成隔离层以避免栅源短路。

主权项

一种功率半导体器件的制造方法，包括：在第一掺杂类型的半导体衬底中形成多个沟槽；在所述多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体，在所述屏蔽导体的顶部形成第一开口；在所述多个沟槽的上部形成位于所述屏蔽导体两侧的第二开口，所述第二开口暴露所述多个沟槽上部的侧壁；在所述第一开口和所述第二开口中形成隔离层；在所述多个沟槽上部的侧壁上形成栅极电介质；形成栅极导体以填充所述第二开口；在所述半导体衬底邻接沟槽的区域中形成第二掺杂类型的体区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；在所述体区中形成所述第一掺杂类型的源区；以及形成源极电极和栅极电极，所述源极电极与所述源区和所述屏蔽导体电连接，所述栅极电极与所述栅极导体电连接,其中，所述栅极导体与所述屏蔽导体之间由所述绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，所述栅极导体与所述体区之间由所述栅极电介质彼此隔离，所述屏蔽导体与所述半导体衬底之间由所述绝缘叠层彼此隔离。