[发明专利]超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201711146672.3 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107902650B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郭建超;蔚翠;冯志红;房玉龙;何泽召;王晶晶;刘庆彬;周闯杰;高学栋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B32/28 | 分类号： | C01B32/28;C01B32/184 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 陈晓彦<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法，该方法包括：将超纳米金刚石膜进行预处理，去除表面的杂质和表面应力；在经过所述预处理后的超纳米金刚石膜的形核面形成金属层，所述金属层为镍层和所述镍层上表面的铜层或所述金属层为铜镍合金层；将已生长所述金属层的超纳米金刚石膜进行高温退火处理，自组织形成单层石墨烯。本发明直接在超纳米金刚石膜上生长单层石墨烯，无需二次转移工艺，有效的避免了二次转移过程中引入杂质和晶格缺陷，并且，生长的单层石墨烯具有较小的晶格失配和表面变化。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 金刚石 表面上 制备 单层 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法，其特征在于，包括：/n将超纳米金刚石膜进行预处理，去除表面的杂质和表面应力；/n在经过所述预处理后的超纳米金刚石膜的形核面形成金属层，所述金属层为镍层和所述镍层上表面的铜层或所述金属层为铜镍合金层；/n将已生长所述金属层的超纳米金刚石膜进行高温退火处理，自组织形成单层石墨烯；所述高温退火处理过程中热处理的最高温度为900℃至950℃，持续时间为5分钟至10分钟，降温速率为5℃/s至10℃/s；/n所述超纳米金刚石膜的厚度小于100微米；所述镍层的厚度为100纳米至200纳米，所述铜层的厚度为100纳米至200纳米，或所述铜镍合金层的厚度为200纳米至300纳米；所述超纳米金刚石膜的晶粒尺寸为2纳米至5纳米。/n
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