[发明专利]一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法有效
| 申请号： | 201711147716.4 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107946454B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 徐泽东;陈朗 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法，该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层，复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层，第一铁磁层为磁随机存储器的固定层；铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变，用于改变复合反铁磁结构的耦合状态；第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向；第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器，利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变，实现MRAM的写入，解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时，线宽较宽导致的MRAM尺寸较大，MRAM存储密度较低的问题，实现高密度存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 随机 存储器 及其 写入 方法 读取 制备 | ||
【主权项】：
一种磁随机存储器，其特征在于，包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层，所述复合反铁磁结构为所述磁随机存储器的自由层，所述第一铁磁层为所述磁随机存储器的固定层；所述铁电层在外加电压作用下发生极化或相变，用于改变所述复合反铁磁结构的耦合状态；所述第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向；所述第一隔离层用于控制所述第一磁矩方向不受所述复合反铁磁结构耦合状态的影响。
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