[发明专利]一种单平面研抛加工方法在审

专利信息
申请号: 201711154448.9 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108015666A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 袁巨龙;陈芝向 申请(专利权)人: 杭州智谷精工有限公司
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;B24B37/10;B24B37/30
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 陈振华
地址: 311121 浙江省杭州市余杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种单平面研抛加工方法,它是利用单面研磨/抛光设备对薄片工件进行研磨/抛光加工的方法;该方法将薄片工件通过液体膜吸附在基板上,并利用固定在基板平面上的限位片限制薄片工件在研磨/抛光过程中沿基板平面滑动;所述限位片上具有槽孔,所述薄片工件置于所述槽孔内;所述限位片与所述基板平面的高度差不大于所述薄片工件与所述基板平面的高度差。该方法不仅具有操作方便、无污染、成本低、抛光质量高的特点,还可以以当量增厚的方式提升零件的厚度,使得工件能够承受更大的研抛压力,从而获得更高的研抛效率,可以用于薄片工件的研抛加工。
搜索关键词: 一种 平面 加工 方法
【主权项】:
1.一种单平面研抛加工方法,其特征在于:它是利用单面研磨/抛光设备对薄片工件进行研磨/抛光加工的方法;该方法将薄片工件通过液体膜吸附在基板上,并利用固定在基板平面上的限位片限制薄片工件在研磨/抛光过程中沿基板平面滑动;所述限位片上具有槽孔,所述薄片工件置于所述槽孔内;所述限位片与所述基板平面的高度差不大于所述薄片工件与所述基板平面的高度差。
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