[发明专利]位线预置电路、读操作电路、SRAM和方法有效
| 申请号： | 201711155060.0 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817260B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 史增博;方伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种位线预置电路、读操作电路、SRAM和方法，涉及半导体技术领域。该位线预置电路与存储阵列连接，该存储阵列包括多列存储单元；该位线预置电路包括：多组位线对，每组位线对与每列存储单元相对应，每组位线对包括：分别连接相对应的同一列存储单元的一条位线和一条互补位线；其中，在读操作前，该多组位线对中的一部分位线对被预充电至电源电压VDD，该多组位线对中的其他部分位线对被预充电至公共接地端电压VSS。本发明能够减小电荷分享时间，提高SRAM的读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 预置 电路 操作 sram 方法 | ||
【主权项】：
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