[发明专利]一种逆阻型IGBT

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。

主权项

一种逆阻型IGBT，包括N型高阻区，其特征在于，在N型高阻区上表面中部具有第二N型区(6)，位于第二N型区(6)上表面的P阱(1)，并列位于P阱(1)上表面的N型发射区(2)和P型接触区(3)；其中N型发射区(2)和P型接触区(3)相互独立，其共同引出端为发射极；N型高阻区上表面两侧具有两个对称的沟槽，与N型发射区(2)接触的沟槽为槽栅(4)，槽栅(4)包含位于槽内壁的第一绝缘介质层(41)和由第一绝缘介质层(41)包围的第一导电材料(42)，由槽栅(4)中的第一导电材料(42)引出栅电极；与P型接触区(3)接触的沟槽为槽结构(5)，槽结构(5)包含位于槽内壁的第二绝缘介质层(51)和由第二绝缘介质层(51)包围的第二导电材料(52)；在N型高阻区下层，具有间隔分布的多个第一N型层(7)，在每个第一N型层(7)的下层具有P型区(8)，P型区(8)和N型高阻区被第一N型层(7)阻隔；其中P型区(8)的掺杂浓度高于N型高阻区掺杂浓度；在N型高阻区下表面，两相邻的P型区(8)之间具有第三绝缘介质层(9)，所述第三绝缘介质层(9)与P型区(8)相接触；所述P型区(8)引出端为集电极，且集电极覆盖于第三绝缘介质层(9)上。