[发明专利]一种ESD器件串联电阻的电阻结构有效
| 申请号： | 201711155427.9 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107731795B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李伊珂;李涅 | 申请（专利权）人： | 清华四川能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 郭彩红;詹永斌 |
| 地址： | 610000 四川省成都市天*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种ESD器件串联电阻的电阻结构，把多晶硅电阻分成N个小部分，每一小部分均通过各自对应的Contact和Via连接到上部金属层；每一小部分所对应的Contact和Via及连接到上部金属层构成了一个独立单元；所述Via和上部金属层采用金属铝材料；所述Contact采用金属铝材料或铝合金材料；利用金属铝的热容特性，巧妙利用现有结构，在通过同样的ESD电流而导致发热时，不会导致电阻被损坏，同时，能大大缩小ESD器件所在电路整体尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 器件 串联 电阻 结构 | ||
【主权项】：
1.一种ESD器件串联电阻的电阻结构，其特征在于：把多晶硅电阻分成N个小部分，每一小部分均通过各自对应的Contact和Via连接到上部金属层；每一小部分所对应的Contact和Via及连接到上部金属层构成了一个独立单元；所述Via和上部金属层采用金属铝材料；所述Contact采用金属铝材料或铝合金材料；所述N为大于等于2的自然数；所述多晶硅电阻为圆环状，对于同一层的上部金属层，将位于同一等势线上的金属连接在一起，间隔地位于电阻的等势线上；所述上部金属层包括第一金属层和顶部金属层。
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