[发明专利]一种自适应反流比较器有效

专利信息
申请号: 201711155509.3 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN107834829B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 罗萍;黄龙;刘泽浪;陈佳伟;曾鹏灏;杨鹏博;周先立 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种自适应反流比较器,属于电子电路技术领域。包括偏置电路、自适应失调电压产生电路和比较器,偏置电路为自适应失调电压产生电路和比较器提供偏置电压,自适应失调电压产生电路的输入端连接开关变换器,根据其输入信号自适应的产生失调电压,再通过比较器后进一步输出合适的反流控制信号,使得开关变换器在各种输出情况下,电感电流都不会出现反流的现象。本发明与传统反流比较器相比,不会出现在某些输出电压下电感电流发生反流的问题,能有效提高开关变换器的效率。
搜索关键词: 一种 自适应 比较
【主权项】:
1.一种自适应反流比较器,其特征在于,包括偏置电路、自适应失调电压产生电路和比较器,所述偏置电路的输入端连接电源电压,其输出端输出第一偏置电压VB和第二偏置电压;所述自适应失调电压产生电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第一NMOS管(MN1),第一电阻(R1)和第八电阻(R8)串联,其串联点作为所述自适应失调电压产生电路的第一输入端,第一电阻(R1)的另一端连接第一PMOS管(MP1)的源极,第八电阻(R8)的另一端连接第一NMOS管(MN1)的栅极并通过第九电阻(R9)后接地;第二电阻(R2)的一端作为所述自适应失调电压产生电路的第二输入端,其另一端连接第二PMOS管(MP2)的源极;第五电阻(R5)和第六电阻(R6)串联,其串联点连接所述第一偏置电压VB,第五电阻(R5)的另一端连接第一PMOS管(MP1)的栅极和第一NMOS管(MN1)的漏极,第六电阻(R6)的另一端连接第二PMOS管(MP2)的栅极;第一NMOS管(MN1)的源极通过第七电阻(R7)后接地,第一PMOS管(MP1)的漏极作为所述自适应失调电压产生电路的第一输出端并通过第三电阻(R3)后接地,第二PMOS管(MP2)的漏极作为所述自适应失调电压产生电路的第二输出端并通过第四电阻(R4)后接地;所述比较器的第一输入端连接所述自适应失调电压产生电路的第一输出端,其第二输入端连接所述自适应失调电压产生电路的第二输出端,其偏置电压端连接所述第二偏置电压,其输出端作为所述自适应反流比较器的输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711155509.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top