[发明专利]交叉点阵列型相变存储器件及驱动其的方法有效
| 申请号： | 201711156772.4 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108091362B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李仁秀 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种相变存储器件可以包括交叉点阵列和感测电路块。交叉点阵列可以包括多个字线、多个位线和相变存储单元。字线和位线可以彼此交叉。相变存储单元位于字线与位线之间的交叉点处。感测电路块读取相变存储单元中的数据。感测电路块可以包括第一感测单元和第二感测单元。第一感测单元使用第一电压来感测数据。当由第一感测单元读取的相变存储单元中的数据被确定为异常时，第二感测单元使用可以比相变存储单元的阈值电压高的第二电压来感测数据。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉点 阵列 相变 存储 器件 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器件，包括：交叉点单元阵列，其包括多个字线、布置在字线上以与字线彼此交叉的多个位线以及布置在字线与位线之间的交叉点处的相变存储单元；以及感测电路块，其被配置为读取相变存储单元中的数据，所述感测电路块包括：第一感测单元，其用于使用第一电压来执行数据感测操作；以及第二感测单元，其用于当在由第一感测单元读取的相变存储单元中的数据中产生错误时，使用比相变存储单元的阈值电压高的第二电压来执行数据感测操作。
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