[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201711157377.8 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108695175B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 余振华;林咏淇;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法包括将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；以及执行回流工艺，其中衬底与载体之间的热膨胀系数(CTE)差异使得在回流工艺期间衬底的第一表面为第一形状，其中第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在回流工艺期间第一半导体封装的第一表面为第二形状，且其中第一形状实质上匹配所述第二形状。所述方法进一步包括在回流工艺之后，从衬底移除载体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准所述衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；执行回流工艺，其中所述衬底与所述载体之间的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述衬底的所述第一表面为第一形状，其中所述第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在所述回流工艺期间所述第一半导体封装的所述第一表面为第二形状，且其中所述第一形状实质上匹配所述第二形状；以及在所述回流工艺之后，从所述衬底移除所述载体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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