[发明专利]一种可去除稻田或制种田落粒谷苗及杂草的种植方法有效
| 申请号： | 201711157798.0 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107926552B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 赵炳然;韶也;毛毕刚;彭彦;胡远艺;唐丽;李曜魁;张丹;袁智成;罗武中;袁隆平 | 申请（专利权）人： | 湖南杂交水稻研究中心 |
| 主分类号： | A01G22/22 | 分类号： | A01G22/22;A01G13/00;A01N43/88;A01N43/50;A01N57/20;A01P13/00 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 杨斌 |
| 地址： | 410000*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可去除稻田或制种田落粒谷苗及杂草的种植方法，利用现有除草剂抗性基因资源与基因定点编辑的最新技术，通过在本茬种植既含有显性遗传的X除草剂抗性基因又含有隐性遗传的纯合苯达松敏感基因的水稻品种或品系，在下一茬种植非苯达松敏感的水稻品种或品系的种植方式，选择相对应类型的除草剂进行喷施，有效解决了水稻耕作模式发展过程中田间落粒谷苗及杂草对水稻整体产量与品质影响和杂交水稻制种田的落粒谷（杂谷）苗串粉影响杂交种子纯度等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 稻田 制种 田落粒 谷苗 杂草 种植 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可去除稻田或制种田落粒谷苗及杂草的种植方法，包括如下步骤：第一茬，种植既含有显性遗传的X除草剂抗性基因又含有隐性遗传的纯合苯达松敏感基因的水稻品种或品系，通过喷施X除草剂，除去田间的落粒谷苗及杂草；第二茬，种植未经过X除草剂抗性改造的非苯达松敏感的水稻品种或品系，通过喷施苯达松，除去上一茬含苯达松敏感基因的落粒谷苗；第三茬，继续种植既含有显性遗传的X除草剂抗性基因又含有隐性遗传的纯合苯达松敏感基因的水稻品种或品系，通过喷施X除草剂，除去上一茬落粒谷苗及杂草；所述第三茬的X除草剂抗性与第一茬的X除草剂抗性可相同也可不同；第四茬，种植未经过X除草剂抗性改造的非苯达松敏感的水稻品种或品系，通过喷施苯达松除去上一茬含苯达松敏感基因的落粒谷苗。
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