[发明专利]多孔硅复合物簇结构体、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件有效
申请号: | 201711159045.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108075117B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 文钟硕;金美钟;金世元;沈揆恩;韩圣洙;孙寅赫;李柱明 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/0525;H01L35/22;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N27/327;G01N27/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括:多孔硅复合物簇,其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片;和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层,碳质层包括无定形碳,其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体,所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0x2的式SiO |
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搜索关键词: | 多孔 复合物 结构 制备 方法 各自 电极 锂电池 器件 | ||
【主权项】:
1.多孔硅复合物簇结构体,包括:多孔硅复合物簇,其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片;和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层,所述碳质层包括无定形碳,其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体,所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0<x<2的式SiOx 的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的至少一个表面上的第一碳薄片,所述硅低价氧化物为膜、基质、或其组合的形式,和所述第一碳薄片和所述第二碳薄片各自独立地以膜、颗粒、基质、或其组合的形式存在。
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