[发明专利]一种对芯片表面进行分区域对比扫描的检测方法及设备有效
| 申请号： | 201711160370.1 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107910275B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 袁增艺;倪棋梁;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对芯片表面进行分区域对比扫描的检测方法及设备，应用于扫描设备中，其中，提供一待测芯片，包括以下步骤：对待测芯片的图形结构进行分析，以获取待测芯片的不同区域的密度结构；根据待测芯片的在不同区域的密度结构的分布，构建一密度结构分布图；根据密度结构分布图，将不同密度结构的区域分别对应一窗口扫描模式以形成一扫描分布图；扫描设备根据扫描分布图，对不同密度结构的区域提供对应的窗口扫描模式进行光学扫描测试。其技术方案的有益效果在于，针对不同密度结构的区域采取对应的窗口扫描模式进行扫描，可以避免对不同的密度结构的结构区域采取同一窗口扫描模式进行扫描带来的牺牲机台产能问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 表面 进行 区域 对比 扫描 检测 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种对芯片表面进行分区域对比扫描的检测方法，应用于扫描设备中，其特征在于，提供一待测芯片，包括以下步骤：步骤S1、对所述待测芯片的图形结构进行分析，以获取所述待测芯片的不同区域的密度结构；步骤S2、根据所述待测芯片的在不同区域的密度结构的分布，构建一密度结构分布图；步骤S3、根据所述密度结构分布图，将不同密度结构的区域分别对应一窗口扫描模式以形成一扫描分布图；步骤S4、所述扫描设备根据所述扫描分布图，对不同密度结构的区域提供对应的窗口扫描模式进行光学扫描测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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