[发明专利]具有平面调谐线路的RF功率封装件有效
申请号: | 201711160463.4 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108074915B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | M·希姆科 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;崔卿虎 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文公开了具有平面调谐线路的RF功率封装件。RF功率封装件包括:具有金属化部分和绝缘部分的衬底;嵌入衬底中或者附接到衬底的RF功率晶体管管芯,RF功率晶体管管芯具有管芯输入端子、管芯输出端子、输入阻抗和输出阻抗;形成在衬底的金属化部分中或者附接到衬底的绝缘部分的封装件输入端子;形成在衬底的金属化部分中或者附接到衬底的绝缘部分的封装件输出端子;以及形成在衬底的金属化部分中并且将管芯输出端子电连接到封装件输出端子的第一多个平面调谐线路。第一多个平面调谐线路被整形以便将管芯输出端子处的输出阻抗变换成封装件输出端子处的较高的目标水平。 | ||
搜索关键词: | 具有 平面 调谐 线路 rf 功率 封装 | ||
【主权项】:
1.一种RF功率封装件,包括:衬底,具有金属化部分和绝缘部分;RF功率晶体管管芯,嵌入在所述衬底中或者附接到所述衬底,所述RF功率晶体管管芯具有管芯输入端子、管芯输出端子、输入阻抗和输出阻抗;封装件输入端子,形成在所述衬底的所述金属化部分中或者附接到所述衬底的所述绝缘部分;封装件输出端子,形成在所述衬底的所述金属化部分中或者附接到所述衬底的所述绝缘部分;以及第一多个平面调谐线路,形成在所述衬底的所述金属化部分中并且将所述管芯输出端子电连接到所述封装件输出端子,其中所述第一多个平面调谐线路被整形以便将所述管芯输出端子处的所述输出阻抗变换成所述封装件输出端子处的较高的目标水平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711160463.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体芯片封装结构
- 下一篇:具有重分布线结构的半导体封装件