[发明专利]半导体设备加热冷却复合盘装置有效
| 申请号： | 201711161227.4 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817544B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 尹硕 | 申请（专利权）人： | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 何丽英 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体生产中的设备，特别涉及一种半导体设备加热冷却复合盘装置。包括热盘加热区、复合盘框架、冷却盘、冷却区升降机构、冷却盘传送机构、热盘区升降机构及冷却盘区域，其中热盘加热区和冷却盘区域设置于复合盘框架内，热盘区升降机构设置于热盘加热区内，冷却区升降机构和冷却盘传送机构均设置于冷却盘区域内，冷却盘设置于冷却盘传送机构上，冷却盘传送机构用于将冷却盘在冷却盘区域与热盘加热区之间传送，冷却区升降机构用于接取晶圆。本发明热盘加热区域内烘烤完成后直接由冷却盘传送机构取走传递至冷却盘区域，减少了晶圆在传送路径上浪费的时间，较之传统机械手取送动作增加了设备处理晶圆的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 加热 冷却 复合 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备加热冷却复合盘装置，其特征在于，包括热盘加热区(1)、复合盘框架(2)、冷却盘(3)、冷却区升降机构(4)、冷却盘传送机构(5)、热盘区升降机构(6)及冷却盘区域(7)，其中热盘加热区(1)和冷却盘区域(7)设置于复合盘框架(2)内，所述热盘区升降机构(6)设置于所述热盘加热区(1)内，所述冷却区升降机构(4)和所述冷却盘传送机构(5)均设置于所述冷却盘区域(7)内，所述冷却盘(3)设置于所述冷却盘传送机构(5)上，所述冷却盘传送机构(5)用于将所述冷却盘(3)在所述冷却盘区域(7)与所述热盘加热区(1)之间传送，所述冷却区升降机构(4)用于接取晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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