[发明专利]一维纳米材料薄膜的密度测量方法及密度均匀性检测方法在审
| 申请号： | 201711161591.0 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109813628A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 韩杰 | 申请（专利权）人： | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N9/00 | 分类号： | G01N9/00;G01N13/00 |
| 代理公司： | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人： | 李伟波;孟奎 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种一维纳米材料薄膜的密度测量方法和一维纳米材料薄膜的密度均匀性检测方法。该一维纳米材料薄膜的密度测量方法包括测量一维纳米材料薄膜对应的接触角；以及基于接触角确定一维纳米材料薄膜的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一维纳米材料 薄膜 密度测量 密度均匀性 接触角 纳米材料薄膜 检测 测量 | ||
【主权项】：
1.一维纳米材料薄膜的密度测量方法，包括：测量所述一维纳米材料薄膜对应的接触角；以及基于所述接触角确定所述一维纳米材料薄膜的密度。
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