[发明专利]一种WS2

摘要

本发明涉及一种WS2纳米片中S原子对Pt沉积选择的验证方法，它包括以下步骤：(a)采用不同比例的钨酸盐和硫脲进行水热反应以在金属基底上生长WS2纳米片，得到多个工作电极；(b)将硫原子区分为基面S原子和边缘S原子；(c)根据X射线光电子能谱确定边缘S的不同种类和比例以及多个所述工作电极中WS2纳米片表面的W、S元素比；(d)采用密度泛函理论计算Pt在不同边缘S原子上沉积时的自由能变化，确定其对Pt的吸附能力。通过确定对Pt的吸附能最优的边缘S原子种类，为后续开发更好的Pt电沉积载体以用于进行析氢反应提供了基础。

主权项

一种WS2纳米片中S原子对Pt沉积选择的验证方法，其特征在于，它包括以下步骤：(a)采用不同比例的钨酸盐和硫脲进行水热反应以在金属基底上生长WS2纳米片，得到多个工作电极；(b)采用多种表征测试手段确定多个所述工作电极上WS2纳米片的微观形貌特征，将硫原子区分为基面S原子和边缘S原子，结合阴极极化控制测试确定影响Pt沉积的决定因素；(c)定义所述边缘S原子中，与一个W原子相连并以共价键配位的两个S原子为终端S22‑、与两个W原子形成共价键的为终端S2‑、与三个W原子形成共价键的为顶端S2‑，根据X射线光电子能谱确定边缘S的不同种类和比例以及多个所述工作电极中WS2纳米片边缘的W、S元素比；(d)采用密度泛函理论计算Pt在不同边缘S原子上沉积时的自由能变化确定其对Pt的吸附能力。