[发明专利]用于静电放电的载流子旁路在审
申请号: | 201711164693.8 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN108091648A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 斯特芬·霍兰;汉斯-马丁·里特 | 申请(专利权)人: | 安世有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/872 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的各个方面涉及可用于分流电流的电路系统。可与一个或多个实施例一致的第一电路具有布置在阳极端和阴极端之间的多个交替的p型半导体区域和n型半导体区域,其间具有相应的p‑n结。例如旁路电路的第二电路连接到所述交替的p型半导体区域和n型半导体区域中的一个区域,并与其形成另外的p‑n结。所述第二电路工作以提供影响所述第一电路的工作的载流子流动。 | ||
搜索关键词: | 载流子 电路 交替的 电路连接 电路系统 分流电流 静电放电 旁路电路 阳极端 阴极端 可用 旁路 流动 | ||
【主权项】:
1.一种设备,包括:肖克利二极管,其具有多个半导体材料区域,包括:第一p区域,其连接到所述肖克利二极管的阳极;第一n区域,其与所述第一p区域形成第一p-n结,所述第一p-n结具有第一正向偏置电压;第二p区域,其与所述第一n区域形成第二p-n结;以及第二n区域,其连接到所述肖克利二极管的阴极并与所述第二p区域形成第三p-n结;以及旁路电路,其连接到所述阳极并与所述第一n区域形成电连接,并且具有低于所述第一正向偏置电压的第二正向偏置电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的