[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

摘要

本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，所述三维存储器的制备方法在衬底表面形成了位于阵列区和台阶区的堆叠结构后，在位于所述台阶区的堆叠结构表面形成保护膜层，并对所述保护膜层进行刻蚀，在刻蚀过程中，当其他台阶的保护膜层刻蚀完成后，最靠近衬底的一级台阶侧壁的保护膜层还保留有一部分，这部分保留下来的保护膜层成为附着在最靠近衬底的一级台阶侧壁的保护结构，从而起到了对最靠近衬底的一层第一介质层和一层牺牲层的保护，避免了在后续的制备工艺中，第一介质层由于与其他和衬底的接触而发生反应的情况，从而避免了在衬底中形成非必须的氧化结构的情况出现，提升了最终形成的三维存储器的器件性能。

主权项

一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有多个堆叠结构，多个所述堆叠结构分别位于所述衬底的阵列区和两个台阶区表面，两个所述台阶区分别位于所述阵列区两侧，每个所述堆叠结构包括多层交错堆叠的第一介质层和牺牲层，所述牺牲层位于相邻的第一介质层之间，每两个所述堆叠结构之间具有一个第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述衬底表面，位于所述台阶区表面的堆叠结构构成了多级台阶；在位于所述台阶区的堆叠结构表面形成保护膜层；对所述保护膜层进行刻蚀，以在所述堆叠结构最靠近所述衬底的一级台阶侧壁形成保护结构，所述保护结构至少覆盖最靠近所述衬底的一层第一介质层和一层牺牲层。