[发明专利]用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法

摘要

本发明提供了一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，包括：将待测试样品处理到钨栓塞层；使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记；通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在线路的末端沉积金属垫体；通过微光显微镜给金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；在失效点处标记激光标记；使用聚焦离子束机台在激光标记处进行剖面切削，同时观察失效点，制备透射电子显微镜试片；以及使用透射电子显微镜对试片进行表征。本发明的方法能够快速实现对字线层短路点的定位和表征。

主权项

一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，其特征在于：所述方法包括：将待测试样品处理到钨栓塞层，得到处理之后的待测试样品；使用聚焦离子束机台对所述处理之后的待测试样品的失效区块进行标记，从而方便纳米点针台下针；通过所述纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在所述线路的末端沉积金属垫体；通过微光显微镜给所述金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；通过所述微光显微镜，在失效点处标记激光标记；使用所述聚焦离子束机台在所述激光标记处进行剖面切削，同时观察所述失效点，制备透射电子显微镜试片；以及使用所述透射电子显微镜对所述试片进行表征。