[发明专利]ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711165986.8 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108130512B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘小林;李乾利;顾牡;张娟楠;黄世明;刘思;胡亚华;李锋锐 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C30B7/10;C30B29/22;C30B33/02;G21K4/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。 | ||
| 搜索关键词： | zno ga 纳米 阵列 射线 闪烁 转换 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏的制备方法，其特征在于，该方法利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得所述的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。
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