[发明专利]有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201711166446.1 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107946475B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈钰杰;樊则明;张彦峰;丘志仁;余思远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，包括氮化硅层、有机共轭发光聚合物层和衬底，其中有机共轭发光聚合物层设置在衬底上，氮化硅层设置在有机共轭发光聚合物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 共轭 发光 聚合物 氮化 混合 集成 材料 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构的制备方法，所述结构包括氮化硅层、有机共轭发光聚合物层和衬底，其中有机共轭发光聚合物层设置在衬底上，氮化硅层设置在有机共轭发光聚合物层上；其特征在于：所述制备方法包括有以下步骤：S1.取有机共轭发光聚合物粉末按照一定的浓度充分溶解于有机溶剂中，获得有机共轭发光聚合物溶液；S2.对衬底的表面进行清洗，清洗完毕后使衬底的表面保持干燥；S3.对衬底的表面进行改性处理，得到具有表面疏水性的衬底；S4.将步骤S2得到的有机溶液在衬底的表面进行旋涂，得到有机共轭发光聚合物层；S5.对步骤S4得到的有机共轭发光聚合物层进行固化；S6.在有机共轭发光聚合物层上利用低温沉积技术沉积氮化硅层。
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