[发明专利]一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置

摘要

本发明公开了一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，用于高温高剂量环境下的半导体器件辐照损伤实验，在大幅缩减辐照时间的情况下，达到模拟低剂量率损伤增强实验的目的；该精密控温装置包括耐高温结构陶瓷外壳、耐高温结构陶瓷管、电阻丝、隔热层、粒子入射窗口，粒子出射窗口、电缆接口、热电偶、样品盒、绝热环、电气控制柜、温控仪和计算机；所述精密控温装置耐高温结构陶瓷外壳设计为长方体形状，内壁设计为圆柱体形状。该装置可长时间工作于伽马射线辐照环境中，实时监测样品盒内部温度。控温精度高，温度场分布均匀。

主权项

一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，包括：耐高温陶瓷结构、远程控制线缆（15）、电气温控结构和计算机（14），耐高温陶瓷结构用于放置样品（8），耐高温陶瓷结构通过远程控制线缆（15）连接电气温控结构，电气温控结构连接计算机（14）；所述耐高温陶瓷结构包括耐高温材质的外壳（1）和内壁（4），外壳（1）和内壁（4）之间形成有空腔，内壁（4）为空中的筒状；所述内壁（4）内设置有样品盒（7），样品盒（7）的两端通过绝热环（9）径向安装于内壁（4）的中间位置；所述外壳（1）也呈筒状，外壳（1）和内壁（4）之间的空腔内设置有若干同轴向环形均匀分布的耐高温的陶瓷管（2），陶瓷管（2）内均设置有贯穿陶瓷管（2）的电阻丝（3）；所述外壳（1）和内壁（4）之间的空腔内，陶瓷管（2）周围填充有隔热层（10）。