[发明专利]一种通过温和湿法刻蚀改善SEG生长形态的SEG制备工艺

摘要

本发明提供了一种通过温和湿法刻蚀改善SEG生长形态的SEG制备工艺，所述工艺包括：在刻蚀N/O堆叠结构形成沟道孔，并且所述沟道孔通至所述衬底并形成一定深度的第一硅槽；然后，对沟道孔采用稀释的硫酸和双氧水混合物(DSP)进行处理，随后进行刻蚀后处理以及刻蚀后处理的剥离步骤；在SEG生长前的预清洗中，依次进行第一次稀氢氟酸(DHF)清洗、碱性标准溶液清洗(SC1)和第二次稀氢氟酸(DHF)清洗，然后进行SEG生长沉积。上述工艺对外延生长界面的损伤小；可为SEG提供良好的生长界面，使得SEG的生长形态更好，生长高度更趋于一致，提高产品良率；从而提高了3D NAND闪存的性能。

主权项

1.一种通过温和湿法刻蚀改善SEG生长形态的SEG制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一个衬底N/O堆叠结构；所述N/O堆叠结构为多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层形成的衬底堆叠结构，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间，且所述层间介质层为氧化硅层；牺牲介质层为氮化硅层；/n在所述衬底N/O堆叠结构的上面涂覆光刻胶，并曝光形成沟道孔光刻图案；/n刻蚀所述N/O堆叠结构形成沟道孔，并且所述沟道孔通至所述衬底并形成一定深度的第一硅槽；/n沟道孔剥离(Strip)，具体为对沟道孔采用稀释的硫酸和双氧水混合物(DSP)进行处理；/n刻蚀后处理(PET)；/n刻蚀后处理的剥离(Strip)；/n选择性外延生长硅层(SEG)生长前的预清洗(Preclean)，具体为依次进行第一次稀氢氟酸(DHF)清洗、碱性标准溶液清洗(SC1)和第二次稀氢氟酸(DHF)清洗；/n形成选择性外延生长硅层(SEG)，具体为，在所述第一硅槽处进行硅的外延生长形成选择性外延生长硅层(SEG)。/n