[发明专利]一种顶层选择栅切线的氧化物填充方法

摘要

本发明提供了一种顶层选择栅切线的氧化物填充方法，通过将顶层选择栅切线沟道中氧化物材料的填充采用高密度等离子化学气相淀积法(HDP‑CVD)，得到的填充氧化物能够有效抵御在后续钨栅极形成过程中含氟气体脱除的有害刻蚀，从而避免形成刻蚀沟道而被钨沉积所填充，进而避免了不必要的钨残留，提高了3D NAND闪存结构的产品性能。

主权项

1.一种顶层选择栅切线的氧化物填充方法，包括以下步骤：/n在衬底表面形成多层堆叠结构，具体为，首先，提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；然后，采用化学机械研磨工艺获得顶层层间介质层光滑平整的表面；所述化学机械研磨工艺为研磨速率较低的化学机械研磨(Buffer CMP)；/n在所述光滑平整的表面上沉积一层化学机械研磨截止层；所述化学机械研磨截止层为氮化硅硬掩模层(SiN HM)；/n为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行光刻，具体为，首先在化学机械研磨截止层的表面上形成复合光刻层；然后在需要形成选择栅切线(Top Select Gate Cut)的位置实施光刻；/n为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行刻蚀，具体为，采用常规刻蚀工艺在前述光刻位置形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)的沟道，并去除所述复合光刻层以露出所述化学机械研磨截止层的表面；/n对顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道进行填充，具体为，采用高密度等离子化学气相淀积法(High Density Plasma CVD，HDP-CVD)在所述沟道中沉积填充顶层选择栅切线氧化物材料；/n去除多余的顶层选择栅切线氧化物材料，具体为，采用化学机械研磨工艺，将对顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道进行填充时在所述化学机械研磨截止层表面形成的多余的顶层选择栅切线氧化物材料去除，以露出化学机械研磨截止层表面并形成光滑平整的表面；/n去除所述化学机械研磨截止层。/n