[发明专利]氧化钨电子传输层的制备方法及其产品和应用

摘要

本发明涉及氧化钨电子传输层的制备方法及其产品和应用，一种氧化钨电子传输层由WOx低温制备，可在导电玻璃基底上大批量合成，包括量取5ml醇溶液，称取一定量六氯化钨溶于溶剂醇之中，搅拌至溶液完全溶解，得到黄色的溶液；继续搅拌，黄色溶液变为透明的浅蓝色溶液；在清洗后的FTO导电玻璃上旋涂30s；旋涂后的基底在烘箱中150摄氏度加热；重复2~4遍，得到性能良好的氧化钨电子传输层材料。在150°C制得的电子传输层获得了8.3%的效率。该方法制备的电子传输层不用经过高温烧结等复杂过程，制备方法工艺和流程简便，参数可调范围宽，可重复性强，消耗能量低，有效地降低了电池的制作成本，有利于技术的大规模推广。

主权项

一种氧化钨电子传输层的制备方法，其特征在于：由WOx低温制备，可在导电玻璃基底上大批量合成；包括如下工艺步骤：（1）量取5ml醇溶液，称取一定量六氯化钨溶于溶剂醇之中，搅拌至溶液完全溶解，得到黄色的溶液；（2）继续搅拌，黄色溶液变为透明的浅蓝色溶液；（3）在清洗后的FTO导电玻璃上旋涂30s；（4）旋涂后的基底在烘箱中150摄氏度加热；（5）将上述（3）（4）步骤重复2~4遍，得到性能良好的氧化钨电子传输层材料。