[发明专利]晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201711169180.6 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107946185A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孟俊生;李志伟;黄仁德;王欢 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/306;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种晶圆键合方法，包括对第一晶圆的待键合表面进行活化处理，和/或对第二晶圆的待键合表面进行活化处理；在第一气压的环境中，使所述第一和第二晶圆的待键合表面接触，并施加压力以挤压所述第一和第二晶圆；以及在第二气压的环境中，对所述第一和第二晶圆进行退火处理，其中，所述第二气压大于所述第一气压。本公开的晶圆键合方法，在不对晶圆造成不良影响的情况下提高了晶圆之间的键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：对第一晶圆的待键合表面进行活化处理，和/或对第二晶圆的待键合表面进行活化处理；在第一气压的环境中，使所述第一和第二晶圆的待键合表面接触，并施加压力以挤压所述第一和第二晶圆；以及在第二气压的环境中，对所述第一和第二晶圆进行退火处理，其中，所述第二气压大于所述第一气压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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