[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201711169387.3 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108931892A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘朕与;赖韦翰;林子扬;翁明晖;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供负型显影剂与对应的光刻技术，以克服分辨率、线路边缘粗糙度、与敏感度的权衡得失障碍(特别是对极紫外线技术)，可达进阶技术节点的高图案保真度。例示性的光刻方法包含形成负型光致抗蚀剂层于工件上；以极紫外线曝光负型光致抗蚀剂层；以及在负型显影剂中移除负型光致抗蚀剂层的未曝光部分，以形成图案化负型光致抗蚀剂层。负型显影剂包括logP值大于1.82的有机溶剂。有机溶剂为酯类衍生物R1COOR2。R1与R2为碳数小于或等于4的碳氢链。在一些实施方式中，R1、R2、或R1与R2两者为丙基，比如正丙基、异丙基、或2‑甲基丙基。 | ||
| 搜索关键词： | 负型光致抗蚀剂 显影剂 负型 有机溶剂 光刻 边缘粗糙度 紫外线技术 酯类衍生物 光刻技术 极紫外线 甲基丙基 进阶技术 曝光 保真度 分辨率 敏感度 碳氢链 图案化 异丙基 正丙基 丙基 对极 碳数 移除 图案 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，包括：形成一光致抗蚀剂层于一工件上；以一射线曝光该光致抗蚀剂层；以及采用一显影剂显影该光致抗蚀剂层，以移除该光致抗蚀剂层的一未曝光部分并形成一图案化光致抗蚀剂层，其中该显影剂包含一有机溶剂，且该有机溶剂的logP值大于1.82且如下式所示：![]()
其中R1与R2中至少一者为丙基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711169387.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
