[发明专利]X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法有效

专利信息
申请号: 201711170291.9 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN109950211B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 施梦侨;李永彬;龚锦林 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L23/08 分类号: H01L23/08;H01L23/057
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明是一种X波段双面多腔结构陶瓷外壳及多层陶瓷共烧工艺方法,其外壳结构包括陶瓷件、连筋结构封接框、盖板和所形成的多腔体,以及在陶瓷件表面金属化图形、封接框表面和盖板表面的镀覆层;共烧工艺方法,包括配料、流延、打孔填孔、印刷、开腔、叠片层压、生切、烧结、镀覆等步骤;优点:1)既可完成传输线间的阻抗匹配,又可将传输信号限制在介质层中,减小介质损耗和辐射损耗,增加地层的数量用来消除平板模式的影响;2)将在陶瓷件内部制作电气连接电路的排布由二维平面结构变为三维结构,增加了可布线的密度,保证了封装外壳的气密性,同时降低了成本;3)开腔将大面积的平面封装外壳进行折叠,使得封装尺寸大大减小。
搜索关键词: 波段 双面 结构 陶瓷 外壳 多层 工艺 方法
【主权项】:
1.一种X波段双面多腔结构陶瓷外壳,其特征在于包括陶瓷件、连筋结构封接框、盖板和所形成的多腔体,以及在陶瓷件表面金属化图形、封接框表面和盖板表面的镀覆层;其中陶瓷件采用HTCC多层陶瓷共烧工艺,包含绝缘材料和共烧金属化,连筋结构封接框焊接于陶瓷件的顶面上,盖板采用平行缝焊和金锡封形式封接在陶瓷件的顶部和底部。
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