[发明专利]一种低阻抗的复合钯钌铜线及其制造方法有效
| 申请号： | 201711170734.4 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107978577B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 周振基;周博轩;任智 | 申请（专利权）人： | 汕头市骏码凯撒有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 | 代理人： | 林天普;俞诗永 |
| 地址： | 515065 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低阻抗、高可靠性的复合钯钌铜线，其特征在于包括芯线、包覆在芯线外面的钯层以及包覆在钯层外面的钯钌复合膜；所述芯线为纯铜线；所述钯钌复合膜主要由纳米钯钌合金和高分子稳定剂组成，其中高分子稳定剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙烯亚胺和聚丙烯酸中的一种；所述钯层的厚度为0‑15纳米，所述钯钌复合膜的厚度为11‑18纳米。本发明还提供上述复合钯钌铜线的一种制造方法。本发明的复合钯钌铜线可用于半导体封装，具有低阻抗、高可靠性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻抗 可靠性 复合 铜线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低阻抗的复合钯钌铜线，其特征在于包括芯线、包覆在芯线外面的钯层以及包覆在钯层外面的钯钌复合膜；所述芯线为纯铜线；所述钯钌复合膜主要由纳米钯钌合金和高分子稳定剂组成，其中高分子稳定剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚乙烯亚胺和聚丙烯酸中的一种；所述钯层的厚度为0.5‑15纳米，所述钯钌复合膜的厚度为11‑18纳米。
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